"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование глубоких уровней в полуизолирующем GaAs методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного адмиттанса
Демьяненко М.А.1, Марчишин И.В.1, Бобылев Б.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Проведен теоретический анализ фотоиндуцированного адмиттанса структуры ''металл-полуизолирующий полупроводник-металл'' и на его основе предложен новый неразрушающий метод исследования глубоких уровней в объемных полуизолирующих и высокоомных полупроводниках. Показано, что в отличие от метода релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного тока, предлагаемый метод позволяет исследовать процессы захвата и эмиссии, протекающие в одинаковых условиях, что обеспечивает более корректное определение времени жизни носителей заряда и концентрации глубоких уровней. Метод апробирован на полуизолирующем арсениде галлия, выращенном методом Чохральского.
  1. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  2. A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. In: \it Proc. 6th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds (Edinburgh, 1976) [Institute of Physics Conf. Ser. N 33 a, 73 (1977)]
  3. D.L. Losee. Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972)
  4. Б.А. Бобылев, В.Н. Овсюк, С.Б. Севастьянов, В.И. Усик. ФТП, 23, 1932 (1989)
  5. Ch. Hurtes, M. Boulou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett., 32, 821 (1978)
  6. O. Yoshie, M. Kamihara. Japan. J. Appl. Phys., 24, 431 (1985)
  7. L. Young, W.C. Tang, S. Dindo, K.S. Lowe. J. Electrochem. Soc., 133, 609 (1986)
  8. S.R. Blight, H. Thomas. J. Appl. Phys., 65, 215 (1989)
  9. Maria J.S.P. Brasil, P. Motisuke. J. Appl. Phys., 68, 3370 (1990)
  10. M. Tapiero, N. Benjelloun, J.P. Zielinger, S. El Hamd, C. Noguet. J. Appl. Phys., 64, 4006 (1988)
  11. J.C. Balland, J.P. Zielinger, C. Noguet, M. Tapiero. J. Phys. D: Appl. Phys., 19, 57 (1986)
  12. С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
  13. E. Schilbli, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 11, 323 (1968)
  14. G. Vincent, D. Bois. Sol. St. Commun., 27, 431 (1978)
  15. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  16. J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988)
  17. A. Mitonneau, A. Mircea, G.M. Martin, D. Pons. Rev. Phys. Appl., 4, 853 (1979)
  18. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  19. A.L. Lin, E. Omelianovski, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 47, 1852 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.