Вышедшие номера
Исследование глубоких уровней в полуизолирующем GaAs методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного адмиттанса
Демьяненко М.А.1, Марчишин И.В.1, Бобылев Б.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Проведен теоретический анализ фотоиндуцированного адмиттанса структуры ''металл-полуизолирующий полупроводник-металл'' и на его основе предложен новый неразрушающий метод исследования глубоких уровней в объемных полуизолирующих и высокоомных полупроводниках. Показано, что в отличие от метода релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного тока, предлагаемый метод позволяет исследовать процессы захвата и эмиссии, протекающие в одинаковых условиях, что обеспечивает более корректное определение времени жизни носителей заряда и концентрации глубоких уровней. Метод апробирован на полуизолирующем арсениде галлия, выращенном методом Чохральского.