Вышедшие номера
Дальняя инфракрасная фотопроводимость кремния, облученного быстрыми нейтронами
Голубев В.Г.1, Кропотов Г.И.1, Пацекин А.В.1, Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1, Дукин А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

В слабо легированном, слабо компенсированном кремнии, выращенном по методу Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами и последующего отжига наблюдалась дальняя инфракрасная фотопроводимость при энергиях фотонов меньше энергии ионизации водородоподобного донора, расчитанной в приближении эффективной массы. Фотопроводимость связана с фотоионизацией кластеров, состоящих из мелких донорных центров, появляющихся в результате облучения кремния быстрыми нейтронами и последующего отжига. Предполагается, что в состав донорных центров входят атомы магния, образующиеся вследствие трансмутации изотопов 28Si и 29Si.