"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинационные свойства имплантированных ионами I, III и VIII групп и термически отожженных кристаллов Cd xHg 1- xTe
Ибрагимова М.И.1, Барышев Н.С.1, Жихарев В.А.1, Хайбуллин И.Б.1
1Казанский физико-технический институт Российской академии наук,, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Исследовано влияние ионной имплантации элементов I, III и VIII групп в сочетании с диффузионным термическим отжигом на рекомбинационные свойства CdxHg1-xTe с 0.204=< x=< 0.3. Показано, что после имплантации и последующего отжига в кристаллах CdxHg1-xTe, в которых произошла инверсия типа проводимости n-> p, при температурах ниже 200/150 K доминирует рекомбинация через локальные уровни, расположенные на 25±10 мэВ ниже дна зоны проводимости. Возникающие при этом рекомбинационные центры нейтральны и связаны, по-видимому, с формированием в кристаллах CdxHg1-xTe вакансионных комплексов типа (V HgV Te).
  1. G.L. Destefanis. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 171 (1985)
  2. L.O. Bubulac, W.E.Tennant, D.S.Lo, D.D. Edwall, J.C. Robinson, J.C. Chen, G. Bostrup. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3166 (1987)
  3. J. Baars, H. Seelewind, Ch. Fritzshe, U. Kaiser, J. Ziegler. J. Cryst. Growth, 86, 762 (1988)
  4. L.O. Bubulac, D.D. Edwall, D. McConnell, R.E. De Wanes, E.R. Blazejewski, E.R. Gertner. Semicond. Sci. Technol., 5, S45 (1990)
  5. S.E. Schacham, E. Finkman. Semicond. Sci. Technol., 5, S41 (1990)
  6. М.И. Ибрагимова, Н.С. Барышев, И.Б. Хайбуллин, Ф.И. Ахмедова, А.П. Фадеева. ФТП, 23, 1249 (1989)
  7. Ф.И. Ахмедова, Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 21, 575 (1987)
  8. Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
  9. V.F. Cotton, J.A. Wilson. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 2177 (1986)
  10. А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, Ю.В. Лиленко, А.С. Петров. ФТП, 15, 676 (1981)
  11. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
  12. Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 24, 363 (1990)
  13. D.L. Polla, R.L.Aggarwal, D.A. Nelson, J.F.Shanley, M.B. Reine. Appl. Phys. Lett., 43, 941 (1983)
  14. R.G. Pratt, J. Hewett, P. Capper, C.L. Jones, N. Judd. J. Apl. Phys., 60, 2377 (1986)
  15. D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
  16. М.И. Ибрагимова, И.А. Файзрахманов, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 27, 1276 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.