"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Межзонные оже-переходы и время жизни носителей заряда в вырожденных узкощелевых полупроводниках p-типа проводимости
Дмитриев А.В.1, Евлюхин А.Б.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Рассчитана вероятность межзонной оже-рекомбинации электрона из зоны проводимости для узкощелевого полупроводника с кейновским спектром в условии вырождения дырок. Результат используется для расчета темпа оже-рекомбинации и ударной ионизации в полупроводнике, у которого дырки и электроны не находятся в тепловом равновесии. Получено выражение для стационарного времени жизни неравновесных носителей. Численные оценки сделаны для Hg1-xCdxTe (x=0.2).
  1. G. Nimtz. Phys. Reports. 63, 266 (1980)
  2. A.R. Beattie. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1049 (1962)
  3. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ. 75, 536 (1978)
  4. Б.Л. Гельмонт. ФТП, 15, 1316 (1981)
  5. Б.Л. Гельмонт. ФТП, 14, 1913 (1980)
  6. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  7. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
  8. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 17, 453 (1983)
  9. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  10. А. Кроткус, З. Добровольскис. \it Электропроводность узкощелевых полупроводников (Вильнюс, Мокслас, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.