Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Межзонные оже-переходы и время жизни носителей заряда в вырожденных узкощелевых полупроводниках p-типа проводимости
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 14 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Рассчитана вероятность межзонной оже-рекомбинации электрона из зоны проводимости для узкощелевого полупроводника с кейновским спектром в условии вырождения дырок. Результат используется для расчета темпа оже-рекомбинации и ударной ионизации в полупроводнике, у которого дырки и электроны не находятся в тепловом равновесии. Получено выражение для стационарного времени жизни неравновесных носителей. Численные оценки сделаны для Hg1-xCdxTe (x=0.2).
- G. Nimtz. Phys. Reports. 63, 266 (1980)
- A.R. Beattie. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1049 (1962)
- Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ. 75, 536 (1978)
- Б.Л. Гельмонт. ФТП, 15, 1316 (1981)
- Б.Л. Гельмонт. ФТП, 14, 1913 (1980)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 17, 453 (1983)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
- А. Кроткус, З. Добровольскис. \it Электропроводность узкощелевых полупроводников (Вильнюс, Мокслас, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
