Исследованы низкотемпературная краевая фотолюминесценция, плотность дислокаций и разностная концентрация точечных дефектов в монокристаллах высокоомного арсенида галлия, легированного индием. Показано, что легирование GaAs индием приводит к уменьшению плотности дислокаций, увеличению и стабилизации интенсивности краевого рекомбинационного излучения и изменению интенсивностей фотолюминесценции с участием мелких доноров и акцепторов. Эти явления, в свою очередь, связаны с изменением ансамбля собственных точечных дефектов в кристалле, выражающемся, в частности, в изменении типа преобладающих дефектов решетки с вакансионного на междоузельный.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.