Вышедшие номера
Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In0.53Ga0.47As и их природе
Виноградова Г.И., Гогаладзе Д.Т., Долгинов А.М., Малькова Н.В., Мильвидский М.Г., Соловьева Е.В.
Выставление онлайн: 19 июня 1989 г.

В эпитаксиальных слоях (ЭС) In0.53Ga0.47As обнаружены особенности электрофизических свойств: аномальная энергия активации собственной проводимости, сдвиг "красной границы" фотопроводимости в длинноволновую область, аномально высокое отношение подвижности электронов к подвижности дырок, особенности в рассеянии электронов. Полученные результаты анализируются с привлечением данных по фототермической ионизации, рамановской и электронной микроскопии и объясняются наличием в исследованных ЭС микронеоднородностей по составу, связанных с существованием на диаграммах фазовых равновесий областей несмешиваемости. Сделаны оценки масштаба флуктуации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.