Проведено исследование влияния Джоулева разогрева на вид вольтамперных характеристик (ВАХ) полупроводниковых резисторов, изготовленных на основе кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Теоретически определено аналитическое выражение для ВАХ в рамках квазиодномерной модели и показано, что S-образность связана с возникновением "домена" слабого поля при достижении температуры фазового перехода полупроводник-металл. Проводится сопоставление расчетных и экспериментальных ВАХ структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.