"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наблюдение примесных состояний в высокоомном арсениде галлия методом фотоотражения
Пихтин А.Н., Айраксинен В.-М., Липсанен X., Туоми Т.
Выставление онлайн: 19 июня 1989 г.

Впервые в дифференциальных спектрах отражения, промодулированных лазерной подсветкой, при комнатной температуре отчетливо наблюдался сигнал, обусловленный примесными состояниями. В высокоомном арсениде галлия этот сигнал превышал сигнал в собственной области спектра.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.