"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Край оптического поглощения "чистых" эпитаксиальных слоев InP
Абдуллаев М.А., Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Сейсян Р.П.
Выставление онлайн: 19 июня 1989 г.

На краю поглощения "чистых" эпитаксиальных слоев InP впервые наблюдалась при 2 K экситонная структура, включающая в себя помимо основного (n0=1) и возбужденные (n0=2, 3) состояния экситона, а также максимумы поглощения ЭПК "нейтральный донор-экситон" (D0, X). Основное состояние экситона удается наблюдать и при комнатной температуре, несмотря на малость энергии связи R*<< kT. Выполненный расчет R* при учете вырождения и гофрировки валентной зоны согласуется с экспериментом при R*=5.0±0.1 мэВ и varepsilong0=1424.3±0.1 мэВ. Экспериментально измерена зависимость полуширины основного состояния Gamma от температуры, которая складывается из членов: остаточного Gamma0(NI), не зависящего от T и Gammaф(T), растущего с T пропорционально функции заполнения состояний LO-фононов; при этом коэффициент пропорциональности Aф на порядок превосходит Aфe, даваемый фрёлиховской константой электрон-фононного взаимодействия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.