На краю поглощения "чистых" эпитаксиальных слоев InP впервые наблюдалась при 2 K экситонная структура, включающая в себя помимо основного (n₀=1) и возбужденные (n₀=2, 3) состояния экситона, а также максимумы поглощения ЭПК "нейтральный донор-экситон" (D⁰, X). Основное состояние экситона удается наблюдать и при комнатной температуре, несмотря на малость энергии связи R^*<< kT. Выполненный расчет R^* при учете вырождения и гофрировки валентной зоны согласуется с экспериментом при R^*=5.0±0.1 мэВ и varepsilon_g⁰=1424.3±0.1 мэВ. Экспериментально измерена зависимость полуширины основного состояния Gamma от температуры, которая складывается из членов: остаточного Gamma₀(N_I), не зависящего от T и Gamma_ф(T), растущего с T пропорционально функции заполнения состояний LO-фононов; при этом коэффициент пропорциональности A_ф на порядок превосходит A_ф^e, даваемый фрёлиховской константой электрон-фононного взаимодействия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.