"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
Кюрегян А.С., Шлыгин П.Н.
Выставление онлайн: 19 июня 1989 г.

Проведены теоретическое и экспериментальное исследования эффекта релаксационной задержки пробоя асимметричных p+-n-переходов с глубокими уровнями. Получены аналитические соотношения между концентрацией глубоких уровней Nt, временем задержки tb и напряжением Ub пробоя для случая скачкообразного увеличения напряжения, учитывающие полевую зависимость скорости эмиссии ап электронов с глубоких уровней. Указана возможность определения зависимости an от температуры T в слабом поле при больших Nt на основе результатов измерения tb при произвольном монотонном увеличении напряжения смещения. На экспериментальных зависимостях Ub(T), полученных в режиме релаксационной задержки пробоя кремниевых p+-n-переходов, легированных серой, обнаружены две аномалии при 77-120 и 150-230 K. Эти аномалии вызваны перезарядкой двух уровней серы, известных из литературы. Количественный анализ зависимостей Ub(T) в области высокотемпературной аномалии, проведенный на основе полученных в работе формул с учетом эффекта Френкеля-Пула, дал экспоненциальную зависимость an(T) с энергией активации varepsilont=0.354 эВ, прекрасно согласующейся с опубликованными данными емкостной спектроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.