"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
Кальфа А.А., Пашковский А.Б.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Исследовано влияние пространственного переноса электронов между слоями гетероструктуры с селективным легированием из GaAs/AlxGa1-xAs на статические вольтамперные и СВЧ характеристики полевых транзисторов на основе этих структур. Состояния электронов в узкозонном полупроводнике описаны в приближении треугольной потенциальной ямы, а разогрев электронов учитывается с помощью системы гидродинамических уравнений, решаемых совместно с уравнением Пуассона. Показано, что роль пространственного переноса растет с увеличением тока, протекающего в канале, т. е. с уменьшением отрицательного напряжения на затворе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.