"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением
Андреев В.М., Васильев А.М., Зимогорова Н.С., Лантратов В.М., Мырзин В.И.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Показано, что получение GaAs методом жидкофазнои эпитаксии в условиях введения малых количеств рения в жидкую фазу позволяет улучшать целый ряд свойств выращенных таким образом эпитаксиальных слоев по сравнению со свойствами контрольного нелегированного материала. Обнаружено, что при введении рения в раствор-расплав в малых количествах (~ 0.002 мас %) происходит улучшение электрических и люминесцентных свойств материала: уменьшаются степень компенсации и концентрация электронов в слоях, возрастает подвижность электронов, отмечается увеличение интенсивности люминесценции. Сравнительный анализ низкотемпературных спектров фотолюминесценции нелегированного и легированного материалов позволяет показать, что в результате легирования раствора-расплава рением происходит смена фоновой акцепторной примеси в материале (в GaAs : Re превалирует Si, в контрольных слоях --- C). Спектр краевой полосы ФЛ легированного рением n-GaAs содержит линию, обусловленную экситонно-донорными комплексами, а также пик рекомбинации свободных экситонов, что характерно для чистого материала. Изложен и обсужден возможный механизм воздействия рения на свойства материала

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.