При комнатной температуре исследована зависимость пороговой плотности тока J_и изопериодных AlGaAsSb/GaSb-гетеролазеров, содержащих в Al_xGa_1-xAs_ySb_1-y-эмиттерах алюминий в пределах 0.12 =< x =< 0.40, от толщины d активной области из GaSb. Показано, что наблюдаемые при x=0.12 повышенные значения J_и во всем интервале толщин активной области 0.2 =< d =< 2.2 мкм хорошо объясняются диффузионной утечкой электронов через p-P-гетеробарьер. При комнатных температурах достаточно иметь x=~0.3, чтобы практически исключить влияние тока утечки электронов через гетеробарьер в AlGaAsSb/GaSb-лазерах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.