"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние утечки электронов на пороговый ток AlGaAsSb/GaSb инжекционных гетеролазеров
Вирро А.Л., Лыук П.А., Раммо И.Х.-Ф., Фридентал Я.К., Халлер Ю.Э.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

При комнатной температуре исследована зависимость пороговой плотности тока Jи изопериодных AlGaAsSb/GaSb-гетеролазеров, содержащих в AlxGa1-xAsySb1-y-эмиттерах алюминий в пределах 0.12 =< x =< 0.40, от толщины d активной области из GaSb. Показано, что наблюдаемые при x=0.12 повышенные значения Jи во всем интервале толщин активной области 0.2 =< d =< 2.2 мкм хорошо объясняются диффузионной утечкой электронов через p-P-гетеробарьер. При комнатных температурах достаточно иметь x=~0.3, чтобы практически исключить влияние тока утечки электронов через гетеробарьер в AlGaAsSb/GaSb-лазерах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.