"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках
Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Назаров Н., Никитина И.П., Полетаев Н.К., Сергеев Д.В., Травников В.В., Федоров Л.М.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Изложены результаты изучения спектров низкотемпературной (2 K) фотолюминесценции эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках эпитаксией из газовой фазы в открытой хлоридной системе. Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaP/Si имеют все характерные особенности (вплоть до линии экситона, связанного на доноре), присущие эпитаксиальным слоям GaP, выращенным на подложках GaP. Интенсивность полос фотолюминесценции полученных слоев GaP/Si сравнима с интенсивностью соответствующих полос в слоях GaP/GaP.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.