"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов n-CdGeP2
Медведкин Г.А., Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Исследованы оптические свойства специально не легированных компенсированных кристаллов n-CdGeP2 в диапазоне температур 80-370 К. Длинноволновый хвост alpha(homega) этих кристаллов имеет несколько экспоненциальных участков с пониженной относительно некомпенсированного полупроводника крутизной края поглощения, при этом значения ширины запрещенной зоны сохраняются: Eg=1.73 и 1.84 эВ при T=300 и 80 K соответственно. Обнаружено смещение максимума линейного дихроизма оптического пропускания (также как и фотоплеохроизма диодных структур) в сторону меньших энергий на 60-80 мэВ относительно Eg. Этот факт связывается с понижением анизотропии A-перехода за счет модуляции края валентной зоны флуктуациями потенциала донорных и акцепторных центров. При изменении температуры контур PT(homega) в целом следует за температурным ходом Eg тройного полупроводника, а максимальная амплитуда дихроизма увеличивается от -91 до -96 % с ростом температуры от 80 до 300 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.