Приведены спектральные и вольтамперные характеристики фотоэмиссии горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag. Длинноволновая граница фотоэмиссии определяется шириной запрещенной зоны полупроводника и равна 1.65 мкм при T=200 K. Анализ зависимостей фотоэмиссионного тока от обратного напряжения на диоде позволил сделать вывод баллистическом механизме разогрева электронов в InGaAs в сильном электрическом поле в процессе эмиссии горячих электронов из этого полупроводника. Определена средняя длина свободного пробега горячих электронов l_Gamma в Gamma-минимуме зоны проводимости InGaAs. Показано, что в области энергии электронов varepsilon=1.3/ 1.7 эВ l_Gamma =90 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.