"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инверсия двойного заряженного слоя при прямом смещении слабопрозрачного изотипного гетероперехода
Грибников З.С., Райчев О.Э.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Низкая прозрачность, т. е. малость коэффициента прохождения электронов через вершину гетеробарьера, ограничивает проводимость изотипного гетероперехода при прямых смещениях. Следствием этого ограничения являются накопление электронов в первоначально обедненной стороне гетероперехода и обеднение электронами первоначально обогащенной стороны, т. е. инверсия заряда в двойном заряженном слое гетероперехода. Ограниченный прозрачностью ток при больших смещениях возрастает с ростом напряжения по омическому закону, причем соответствующее сопротивление определяется величиной прозрачности. Примером гетероперехода с низкой прозрачностью является разнодолинный Gamma X-переход.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.