"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование распределения нарушений в имплантированном кремнии методом ультрамягкой рентгеновской рефлектометрии
Филатова Е.О., Кожахметов С.К., Виноградов А.С., Благовещенская Т.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Исследован кремний p-типа, подвергнутый облучению ионами фосфора с энергией E=100 кэВ, дозой Phi=6· 1015см-2, по спектральным зависимостям коэффициента отражения в районе SiL2,3-порога ионизации. Для выявления распределения радиационных дефектов по глубине образца было проведено послойное стравливание. В результате обнаружено, что в облученном образце существуют пространственно разделенные области, обогащенные радиационными дефектами различных типов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.