"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
Берман Л.С., Витовский Н.А., Воронков В.Б., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Исследованы особенности влияния электрического поля в области объемного заряда (ООЗ) на скорость введения A-центров (комплекс вакансия-кислород), в кремниевых p/n-диодах, облученных при комнатной температуре электронами с энергией вблизи порога дефектообразования. Профиль концентрации A-центров измерялся методом двойной изотермической релаксации емкости. Различие в профиле концентраций A-центров в ООЗ разных диодов, облученных в равных условиях и при близких значениях электрического поля, объясняется различием времен жизни и дрейфовой длины вакансий.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.