"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
Емцев В.В., Клингер П.М., Машовец Т.В., Миразизян К.М.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Исследовано влияние интенсивности импульсного облучения (J) быстрыми электронами с энергиями 4/ 7 МэВ на скорость образования A-центров в n-кремнии. При всех использованных интенсивностях потока электронов образование A-центров является доминирующим процессом вторичного дефектообразования. При больших и малых значениях интенсивности скорость образования A-центров не зависит от J, в то время как в промежуточном диапазоне она уменьшается с ростом J. С помощью кинетических уравнений для вакансий и A-центров проведен анализ экспериментальных зависимостей. Показано, что влияние интенсивности на скорость образования A-центров может быть обусловлено взаимодействием вакансий и A-центров с межузельным углеродом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.