Экспериментально обнаружен фотомагнитный эффект (ФМЭ) в условиях, когда одна из граней полупроводника освещается" потоком излучения, плотность которого в спектральном диапазоне междузонных переходов ниже равновесного значения, соответствующего температуре эксперимента. Для создания дефицита фотонов (ДФ) использовался полупроводниковый излучатель, работающий в режиме отрицательной люминесценции. Эксперимент выполнен при T=300 К, в качестве излучателя и ФМЭ приемника использовался антимонид индия. Знак возникающего в таких условиях ФМЭ противоположен тому, который имеет место в традиционном случае избытка фотонов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.