"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
Герасименко Н.Н., Курышев Г.Л., Мясников А.М., Ободников В.И., Сафронов Л.Н., Хрящев Г.С.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Проведено сопоставление электрофизических свойств слоев проводимости n-типа, полученных имплантацией в арсенид индия ионов аргона и серы. Установлено, что при дозах Phi > 5 ·1014 см-2 электрическая активность серы проявляется, начиная с температуры отжига ~300oС. Коэффициент использования серы при этом в интервале доз 5· 1014-1016 см-2 меняется от 0.3 до 0.04. Легированием ионами серы изготовлены планарные n+-p-переходы на InAs. Проведены исследования электрофизических свойств изготовленных n+-p-переходов в зависимости от температуры. Показано, что прямой ток является суммой двух компонентов --- диффузионного и рекомбинационного. При нулевом смещении при 77 К величина дифференциального сопротивления (Rd), умноженная на площадь n+-p-перехода, достигает 109 Ом · см2. Зависимость Rd от температуры описывается в рамках генерационно-рекомбинационного механизма протекания тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.