Теоретически исследуется механизм генерации фотоэдс в цепочке одинаковых бикристаллов: в которых зерна полупроводникового материала n-типа разделены диэлектрической прослойкой (ДП). Межкристаллитные барьеры образуются вследствие захвата электронов проводимости на пограничные состояния (ПС), расположенные на границах раздела зерно-ДП. Предполагается, что значения параметров ПС (уровня энергии и плотности ПС, сечений (захвата электронов и дырок на ПС) слева и справа от ДП различны. Это предположение вводит асимметрию свойств бикристалла, необходимую для генерации фотоэдс. Рассчитаны ВАХ бикристаллов при различных значениях темпа фотогенерации электронно-дырочных пар G. Кривые ВАХ не проходят через начало координат. Это означает, что происходит генерация фотоэдс в бикристаллах. Найдены зависимости от G напряжения холостого хода U_хх (фотоэдс, генерируемая в одном бикристалле) и плотности тока короткого замыкания j_кз. Достаточно высокие значения U_хх и j_кз (U_хх~ 50 мВ, j_кз~ 100 мА/см²) позволяют рассматривать предложенную теорию в качестве одного из возможных объяснений механизма АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.