"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
Гафийчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Теоретически изучено расслоение однородного распределения плотности тока при лавинном пробое p-n-перехода. Показано, что расслоение плотности тока происходит при положительном дифференциальном сопротивлении структуры и приводит к образованию неоднородных по площади p-n-перехода распределений плотности лавинного тока в виде областей размером ~ 1 мкм, в которых плотность тока в десятки раз превышает значение jh для однородного пробоя; вне этих областей плотность тока, напротив, в десятки раз меньше jh. Изучена кинетика образования локальных областей ударной ионизации. Установлено, что образование таких локальных областей высокого значения плотности лавинного тока в отличие от шнурования тока практически не сказывается на виде вольтамперной характеристики структуры. Изучена эволюция локальных областей высокой ударной ионизации при изменении полного тока структуры. На основе полученных результатов дано объяснение экспериментальных результатов расслоения плотности лавинного тока, наблюдаемого в диодах на основе alpha-SiC.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.