"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
Кадушкин В.И., Сеничкин А.П., Фомичев С.И.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Обнаружены квантовые осцилляции фотомагнитного эффекта (ФМЭ) Шубникова-де-Гааза в n-AlxGa1-xAs/GaAs (x~= 0.30) с 2D-электронами ns=5.6· 1011 см-2, mu=1.07· 105 см2/В · с при температуре 4.2 К. Квантовые осцилляции ЭДС ФМЭ опережают по фазе осцилляции поперечного магнитосопротивления рхх. Периоды осцилляции ЭДС ФМЭ и rhoxx по обратному магнитному полю Delta (1/B) совпадают. Увеличение интенсивности света вызывает смещение экстремумов осцилляции на область больших магнитных полей. Повышение температуры приводит к сглаживанию осцилляции и полному их исчезновению. В классическом магнитном поле ЭДС ФМЭ линейно зависит от интенсивности света и приложенного магнитного поля. Магнитополевая зависимость амплитуды осцилляции ЭДС ФМЭ описывается законом exp [2pi2· k (T+TD)/h omega]. Затухание осцилляции ЭДС ФМЭ и rhoxx характеризуется одинаковой температурой Дингла TD=0.46 К.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.