"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Увеличение коротковолновой фоточувствительности p-n-GaAlAs/GaAs-структур при химической обработке поверхности
Новиков Е.В., Хасиева Р.В., Шакиашвили Г.А.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Исследовалась возможность увеличения коротковолновой фоточувствительности p-n-GaAlAs-фотоприемников при химической обработке их поверхности в серосодержащих растворах (водных и глицериновых). Показано, что после химической обработки коротковолновая фоточувствительность возрастает (для фотонов с hnu=3.5 эВ квантовая эффективность увеличивается в 5-7 раз после обработки в водном растворе Na2S). Обработка в водных растворах Na2S сильнее влияет на коротковолновую фоточувствительность, чем обработка в глицериновых растворах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.