Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях

Иконников А.В.¹, Спирин К.Е.¹, Гавриленко В.И.¹, Козлов Д.В.¹, Драченко О.², Schneider H.², Helm M.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Dresden High Magnetic Field Laboratory and Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, P.O.Box, Dresden, Germany

Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4.2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд.

S.Y. Lin, C.T. Liu, D.C. Tsui, E.D. Jones, L.R. Dawson. Appl. Phys. Lett., 55, 666 (1989)
D. Lancefield, W. Batty, C.G. Crookes, E.P. O'Reilly, A.R. Adams, K.P. Homewood, G. Sundaram, R.J. Nicholas, M. Emeny, C.R. Whitehouse. Surf. Sci., 229, 122 (1990)
R.J. Warburton, R.J. Nicholas, L.K. Howard, M.T. Emeny. Phys. Rev. B, 43, 14 124 (1991)
O. Drachenko, D.V. Kozlov, V. Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, K.V. Maremyanin, A.V. Ikonnikov, B.N. Zvonkov, M. Goiran, J. Leotin, G. Fasching, S. Winnerl, H. Schneider, J. Wosnitza, M. Helm. Phys. Rev. B, 79, 073 301 (2009)
H. Arimoto, N. Miura, R.A. Stradling. Phys. Rev. B, 67, 155 319 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель