Вышедшие номера
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p+/n+/n-Si:Er туннельно-пролетного типа
Шмагин В.Б.1, Кузнецов В.П.2, Кудрявцев К.Е.1, Оболенский С.В.3, Козлов В.А.1, Красильник З.Ф.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p+/n+/n-Si : Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p+/n+-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1.5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10-5) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2·10-20 см2с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p+/n-Si : Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа.
  1. A. Polman. J. Appl. Phys., 82, 1 (1997)
  2. A.J. Kenyon. Semicond. Sci. Technol., 20, R65 (2005)
  3. N.Q. Vinh, N.N. Ha, T. Gregorkiewicz. Proc. IEEE, 97, 1269 (2009)
  4. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  5. J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, H. Holzbrecher, Ch. Buchal, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
  6. В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дрздов. ФТТ, 46, 110 (2004)
  7. В.П. Кузнецов, Ю.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А,Н, Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
  8. G.V. Hansson, W.-X. Ni, C.-X. Du, A. Elfving, F. Duteil. Appl. Phys. Lett., 78, 2104 (2001)
  9. В.Б. Шмагин, Ю.Ю. Ремизов, С.В. Оболенский, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 120 (2005)
  10. V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, F.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12, 1556 (2006)
  11. S.V. Obolensky, V.B. Shmagin, V.A. Kozlov, K.E. Kudryavtsev, D.Yu. Remizov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 21, 1459 (2006)
  12. Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузенцов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин. Матер. X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2006) т. 2, с. 348
  13. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  14. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  15. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1, гл. 2, с. 106
  16. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. phys., 81, 2784 (1997)
  17. N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov. J. Luminesc., 80, 315 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.