Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.
Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур n-GaInP/n-p-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования p-n-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых p-n-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого p-n-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток-напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на ~1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока ~1.5 А/см2.
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.Б. Каган, И.И. Протасов, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 12 (1970)
- J.M. Olson, S.R. Kurtz, A.E. Kibbler, P. Faine. Proc. 21st IEEE PVSC (Kissimmee, 1990) v. 1, p. 24
- P.K. Chiang, D.D. Krut, B.T. Cavicchi, K.A. Bertness, S.R. Kurtz, J.M. Olson. 1st World Conf. Potovolt. Energy Conv. (1994) p. 2120
- P.K. Chiang, J.H. Ermer, W.T. Nishikawa, D.D. Krut, D.E. Joslin, J.W. Eldredge, B.T. Cavicchi, J.M. Olson. Proc. 25th IEEE PVSC (Washington, D.C., 1996) p. 183
- R.R. King, N.H. Karam, J.H. Ermer, M. Haddad, P. Colter, T. Isshiki, H. Yoon, H.L. Cotal, D.E. Joslin, D.D. Krut, R. Sudharsanan, K. Edmondson, B.T. Cavicchi, D.R. Lillington. Proc. 28th IEEE PVSC (Anchorage, 2000) p. 998
- M.Z. Shvarts, P.Y. Gazaryan, N.A. Kalyuzhnyy, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina. Proc. 21st EPSEC (Dresden, Germany, 2006) p. 133
- D.C. Law, D. Bhusari, S. Mesropian, J.C. Boisvert, W.D. Hong, A. Boca, D.C. Larrabee, C.M. Fetzer, R.R. King, N.H. Karam. Proc. 34th IEEE PVSC (Philadelphia, PA, 2009)
- M. Stan, D. Aiken, B. Cho, A. Cornfeld, J. Diaz, A. Korostyshevsky, V. Ley, P. Patel, P. Sharps, T. Varghese. Proc. PVSC'08. 33rd IEEE (2008) p. 1
- W. Shockley. Bell System Tech. J., 28, 435 (1949)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2, гл. 14.2 [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, 1981) ch. 14.2]
- F.S. Goucher, G.L. Pearson, M. Sparks, G.K. Teal, W. Shockley. Phys. Rev., 81, 637 (1951)
- Л. Эзаки. В сб.: Туннельные явления в твердых телах, под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста (М., Мир, 1973) гл. 5 [Пер. с англ.: Tunneling phenomena in solids, ed. by E. Burstein and S. Lundqvist (NY, Plenum Press, 1969) ch. 5]
- Р. Смит. Полупроводники (М., Изд-во иностр. лит., 1962) [Пер. с англ.: R.A. Smith Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge 1959)]
- M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, V.A. Grilikhes, V.D. Runyantsev, A.A. Soluyanov, J. Vanbegin, G. Smekens, V.M. Andreev. 31th IEEE PVSC (Lake Buena Vista, FL, 2005) p. 818
- Б.Л. Шарма, Р.Л. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) гл. 1.1 [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974) ch. 1.1]
- Р. Стрэттон. В сб.: Туннельные явления в твердых телах, под. ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста (М., Мир, 1973) гл. 8 [Пер. с англ.: Tunneling phenomena in solids, ed. by E. Burstein and S. Lundqvist (NY, Plenum Press, 1969) ch. 8]
- N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.Kh. Timoshina, V.M. Andreev. Proc. 23th EPSEC (Valencia, 2008) p. 803
- N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Proc. 24th EPSEC (Hamburg, Germany, 2009) p. 538
- Р.П. Нанавати. Введение в полупроводниковую электронику (М., Связь, 1965) [Пер. с англ.: R.P. Nanavati. An Introduction to Semiconductor Electronics (NY, McGraw-Hill, 1963)]
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) прил. II, с. 436 [Пер. с англ.: J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (Englewood Cliffs, New Jersey, Prentice-Hall Inc., 1971) app. II]
- С.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44 (8), 1118 (2010)
- Y.P. Varshni. Physica, 34, 149 (1967)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетероструктуры и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975) гл. 2 [Пер. с англ.: A.G. Milnes and D.L. Feucht. Heterojunctions and metal--semiconductor junctions (NY \& London, 1972) ch. 2]
- В.М. Андреев, В.В. Евстропов, В.С. Калиновский, В.М. Лантратов, В.П. Хвостиков. ФТП, 43 (5), 671 (2009)
- В.М. Лантратов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 41 (6), 751 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
