"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge
Калюжный Н.А.1, Гудовских А.С.2, Евстропов В.В.1, Лантратов В.М.1, Минтаиров С.А.1, Тимошина Н.Х.1, Шварц М.З.1, Андреев В.М.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур n-GaInP/n-p-Ge, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при различных условиях формирования p-n-перехода. Гетероструктуры предназначены для использования в качестве узкозонных субэлементов трехпереходных солнечных фотопреобразователей GaInP/GaInAs/Ge. Показано, что в германиевых p-n-переходах наряду с диффузионным существует туннельный механизм протекания тока, поэтому использована двухдиодная электрическая эквивалентная схема германиевого p-n-перехода. Определены значения диодных параметров для обоих механизмов из анализа как темновых, так и световых зависимостей ток--напряжение. Показано, что устранение компоненты туннельного тока позволяет повысить кпд Ge-субэлемента на ~1% при преобразовании неконцентрированного излучения. За счет использования концентрированного излучения влияние туннельного тока на кпд приборов на основе германия можно практически свести к нулю при значениях плотности фотогенерированного тока ~1.5 А/см2.
  1. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
  2. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.Б. Каган, И.И. Протасов, В.Г. Трофим. ФТП, 4, 12 (1970)
  3. J.M. Olson, S.R. Kurtz, A.E. Kibbler, P. Faine. Proc. 21st IEEE PVSC (Kissimmee, 1990) v. 1, p. 24
  4. P.K. Chiang, D.D. Krut, B.T. Cavicchi, K.A. Bertness, S.R. Kurtz, J.M. Olson. 1st World Conf. Potovolt. Energy Conv. (1994) p. 2120
  5. P.K. Chiang, J.H. Ermer, W.T. Nishikawa, D.D. Krut, D.E. Joslin, J.W. Eldredge, B.T. Cavicchi, J.M. Olson. Proc. 25th IEEE PVSC (Washington, D.C., 1996) p. 183
  6. R.R. King, N.H. Karam, J.H. Ermer, M. Haddad, P. Colter, T. Isshiki, H. Yoon, H.L. Cotal, D.E. Joslin, D.D. Krut, R. Sudharsanan, K. Edmondson, B.T. Cavicchi, D.R. Lillington. Proc. 28th IEEE PVSC (Anchorage, 2000) p. 998
  7. M.Z. Shvarts, P.Y. Gazaryan, N.A. Kalyuzhnyy, V.P. Khvostikov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina. Proc. 21st EPSEC (Dresden, Germany, 2006) p. 133
  8. D.C. Law, D. Bhusari, S. Mesropian, J.C. Boisvert, W.D. Hong, A. Boca, D.C. Larrabee, C.M. Fetzer, R.R. King, N.H. Karam. Proc. 34th IEEE PVSC (Philadelphia, PA, 2009)
  9. M. Stan, D. Aiken, B. Cho, A. Cornfeld, J. Diaz, A. Korostyshevsky, V. Ley, P. Patel, P. Sharps, T. Varghese. Proc. PVSC'08. 33rd IEEE (2008) p. 1
  10. W. Shockley. Bell System Tech. J., 28, 435 (1949)
  11. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 2, гл. 14.2 [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, 1981) ch. 14.2]
  12. F.S. Goucher, G.L. Pearson, M. Sparks, G.K. Teal, W. Shockley. Phys. Rev., 81, 637 (1951)
  13. Л. Эзаки. В сб.: Туннельные явления в твердых телах, под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста (М., Мир, 1973) гл. 5 [Пер. с англ.: Tunneling phenomena in solids, ed. by E. Burstein and S. Lundqvist (NY, Plenum Press, 1969) ch. 5]
  14. Р. Смит. Полупроводники (М., Изд-во иностр. лит., 1962) [Пер. с англ.: R.A. Smith Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge 1959)]
  15. M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, V.A. Grilikhes, V.D. Runyantsev, A.A. Soluyanov, J. Vanbegin, G. Smekens, V.M. Andreev. 31th IEEE PVSC (Lake Buena Vista, FL, 2005) p. 818
  16. Б.Л. Шарма, Р.Л. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) гл. 1.1 [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974) ch. 1.1]
  17. Р. Стрэттон. В сб.: Туннельные явления в твердых телах, под. ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста (М., Мир, 1973) гл. 8 [Пер. с англ.: Tunneling phenomena in solids, ed. by E. Burstein and S. Lundqvist (NY, Plenum Press, 1969) ch. 8]
  18. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.Kh. Timoshina, V.M. Andreev. Proc. 23th EPSEC (Valencia, 2008) p. 803
  19. N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Proc. 24th EPSEC (Hamburg, Germany, 2009) p. 538
  20. Р.П. Нанавати. Введение в полупроводниковую электронику (М., Связь, 1965) [Пер. с англ.: R.P. Nanavati. An Introduction to Semiconductor Electronics (NY, McGraw-Hill, 1963)]
  21. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) прил. II, с. 436 [Пер. с англ.: J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (Englewood Cliffs, New Jersey, Prentice-Hall Inc., 1971) app. II]
  22. С.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов. ФТП, 44 (8), 1118 (2010)
  23. Y.P. Varshni. Physica, 34, 149 (1967)
  24. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетероструктуры и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975) гл. 2 [Пер. с англ.: A.G. Milnes and D.L. Feucht. Heterojunctions and metal--semiconductor junctions (NY \& London, 1972) ch. 2]
  25. В.М. Андреев, В.В. Евстропов, В.С. Калиновский, В.М. Лантратов, В.П. Хвостиков. ФТП, 43 (5), 671 (2009)
  26. В.М. Лантратов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 41 (6), 751 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.