Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамическая локализация тока при выключении мощных биполярных переключателей с микрозатворами
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.
Рассматривается процесс выключения полупроводниковых переключателей с распределенными микрозатворами при наличии небольших встроенных технологических неоднородностей параметров их структур. Динамика этого процесса исследуется на основе аналитической модели оттеснения остаточной плазмы и динамики области объемного заряда в базе с учетом ионизации в сильных электрических полях. Пространственно-неоднородная структура переключателя моделируется двумя группами управляемых ячеек с различающимися параметрами - коэффициентами инжекции эмиттеров или временами жизни носителей в n-базах. Связь всех ячеек по напряжению дополняется взаимодействием прибора с внешней цепью. В рамках предложенной модели исследован опасный эффект локализации тока на стадии выключения, возникающий даже при относительно малом разбросе параметров. Полученные результаты позволяют количественно характеризовать влияние технологических неоднородностей на область безопасной работы мощных биполярных переключателей с микрозатворами.
- K. Lilja, H. Gruning. Conf. Record. 21st Annual IEEE Power Electron. Specialists (San Antonio, USA, 1990) p. 398
- A. Jaecklin, K. Muraoka, H. Gruning. Proc. 2nd Int. Symp. Power Semicond. Dev. and Int. Circuits (1990) p. 83
- Y. Liu, B. You, A.Q. Huang. Sol. St. Electron., 47, 1 (2003)
- T. Ogura, H. Ninomiya, K. Segiyama, T. Inoue. IEEE Trans. Electron. Dev., 51 (4), 629 (2004)
- J. Oetjen, R. Jungblut, U. Kuhlmann, J. Arkenau, R. Sittig. Sol. St. Electron., 44, 117 (2000)
- X. Yuan, F. Udrea, L. Coulbeck, P.R. Waind, G.A.J. Amaratunga. Solid-State Electronics, 46, 75 (2002)
- А.В. Горбатюк. Письма ЖТФ, 34 (5), 54 (2008)
- А.В. Горбатюк, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 34 (10), 61 (2008)
- В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
- А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. ЖТФ, 79 (10), 80 (2009)
- H. Gruning, A. Zuckerberger. Proc. IEEE Industrial Applications Soc., 31st Annual Meeting (San Diego, USA, 1996) p. 1474
- И.В. Грехов, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков, А.Г. Тандоев, Л.С. Костина. ЖТФ, 75 (7), 80 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
