Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H⁺ и последующий термический отжиг при температуре 700^oC позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10¹³ до 10¹⁶ см^-2 величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10¹⁵ см^-2 наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H⁺ (6·10¹⁴ см^-2) и температура отжига (700^oC) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.