Вышедшие номера
Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
Фирсов Д.А.1, Шалыгин В.А.1, Паневин В.Ю.1, Мелентьев Г.А.1, Софронов А.Н.1, Воробьёв Л.Е.1, Андрианов А.В.2, Захарьин А.О.2, Михрин В.С.2, Васильев А.П.2, Жуков А.Е.3, Гавриленко Л.В.4, Гавриленко В.И.4, Антонов А.В.4, Алёшкин В.Я.4
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения.