"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние нелинейности упругих сил и зарядового состояния на тип равновесных искажений дефектов с t 2-симметрией исходного электронного уровня
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Показано, что в случае линйного эффекта Яна--Теллера для тетраэдрического дефекта с t2-симметрией электронных функций сверхлинейность упругих сил может приводить к равновесной конфигурации дефекта, сформированной за счет одновременного взаимодействия с E- и F2-модами колебаний. Получаемая при этом равновесная симметрия не выше орторомбической. Анализ проведен в рамках одноэлектронного приближения в модели, учитывающей ангармонизм E-колебаний путем добавления члена alpha(Q22+Q23)2 в упругую энергию дефекта. Относительный вклад негармоничного члена в полную упругую энергию дефекта, необходимый для реализации конфигурации пониженной симметрии, зависит от относительной эффективности взаимодействий связанных носителей с E- и F2-колебаниями и в случае их приблизительного равенства может быть сравнительно мал. Заполнение исходного t2-состояния двумя, тремя или четырьмя электронами уменьшает (по сравнению со случаем одного или пяти электронов) величину параметра ангармонизма alpha, необходимую для перехода дефекта в конфигурацию, сформированную взаимодействием с обоими типами неполносимметричных колебаний. Это позволяет качественно объяснить последовательное понижение симметрии дефекта с исходным t2-состоянием при изменении числа захваченных им электронов от 1 до 3, аналогичное наблюдавшемуся для вакансии в кремнии.
  1. G.D. Watkins. In: \it Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1965), P. 97
  2. G.D. Watkins. In: \it Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon and Breach Science Publishers, N.Y., 1986). P. 147
  3. Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys. Rev. B, 45, 1645 (1992)
  4. T.A. Kennedy, N.D. Wilsey, J.J. Krebs, G.H. Strauss. Phys. Rev. Lett., 50, 1281 (1983)
  5. K. Saarinen, S. Kuisma, P. Hautojarvi, C. Corbel, C. Le Berre. Phys. Rev. Lett., 70, 2794 (1993)
  6. J. van der Rest, P. Pecheur. J. Phys. C, 17, 85 (1984)
  7. Hongqi Xu, U. Lindefelt. Phys. Rev. B, 41, 5979 (1990)
  8. M. Alatalo, R.M. Nieminen, M.J. Puska, A.P. Seitsonen, R. Virkkunen. Phys. Rev. B, 47, 6381 (1993)
  9. Hongqi Xu. J. Appl. Phys., 68, 4077 (1990)
  10. K. Laasonen, R.M. Nieminen, M.J. Puska. Phys. Rev. B, 45, 4122 (1992)
  11. O. Sugino, A. Oshiyama. Phys. Rev. Lett., 68, 1858 (1992)
  12. R. Virkkunen, M. Alatalo, M.J. Puska, R.M. Nieminen. Comp. Mater. Sci., 1, 151 (1993)
  13. F.G. Anderson, F.S. Ham, G. Grossmann. In: \it Defects in Semiconductors 16. Proc. of the 16th Int. Conf. on Defects in Semiconductors, 1991, ed. by G. Davies, G.G. De Leo, M. Stavola [Mater. Sci. Forum, 83--87 (1992)]; Trans. Techn. Publications, pt 1, p. 475
  14. M. Lannoo, G.A. Baraff, M. Schluter, D. Tomanek. Phys. Rev. B, 44, 12106 (1991)
  15. В.С. Вихнин. ФТТ, 23, 2442 (1981)
  16. И.Б. Берсукер. \it Электронное строение и свойства координационных соединений: \it Введение в теорию (Л., Химия, 1986)
  17. U. Opik, M.H.L. Pryce. Proc. Roy. Soc. Ser. A., 238, 425 (1957)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.