"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние нелинейности упругих сил и зарядового состояния на тип равновесных искажений дефектов с t 2-симметрией исходного электронного уровня
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Показано, что в случае линйного эффекта Яна--Теллера для тетраэдрического дефекта с t2-симметрией электронных функций сверхлинейность упругих сил может приводить к равновесной конфигурации дефекта, сформированной за счет одновременного взаимодействия с E- и F2-модами колебаний. Получаемая при этом равновесная симметрия не выше орторомбической. Анализ проведен в рамках одноэлектронного приближения в модели, учитывающей ангармонизм E-колебаний путем добавления члена alpha(Q22+Q23)2 в упругую энергию дефекта. Относительный вклад негармоничного члена в полную упругую энергию дефекта, необходимый для реализации конфигурации пониженной симметрии, зависит от относительной эффективности взаимодействий связанных носителей с E- и F2-колебаниями и в случае их приблизительного равенства может быть сравнительно мал. Заполнение исходного t2-состояния двумя, тремя или четырьмя электронами уменьшает (по сравнению со случаем одного или пяти электронов) величину параметра ангармонизма alpha, необходимую для перехода дефекта в конфигурацию, сформированную взаимодействием с обоими типами неполносимметричных колебаний. Это позволяет качественно объяснить последовательное понижение симметрии дефекта с исходным t2-состоянием при изменении числа захваченных им электронов от 1 до 3, аналогичное наблюдавшемуся для вакансии в кремнии.
  • G.D. Watkins. In: \it Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1965), P. 97
  • G.D. Watkins. In: \it Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (Gordon and Breach Science Publishers, N.Y., 1986). P. 147
  • Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys. Rev. B, 45, 1645 (1992)
  • T.A. Kennedy, N.D. Wilsey, J.J. Krebs, G.H. Strauss. Phys. Rev. Lett., 50, 1281 (1983)
  • K. Saarinen, S. Kuisma, P. Hautojarvi, C. Corbel, C. Le Berre. Phys. Rev. Lett., 70, 2794 (1993)
  • J. van der Rest, P. Pecheur. J. Phys. C, 17, 85 (1984)
  • Hongqi Xu, U. Lindefelt. Phys. Rev. B, 41, 5979 (1990)
  • M. Alatalo, R.M. Nieminen, M.J. Puska, A.P. Seitsonen, R. Virkkunen. Phys. Rev. B, 47, 6381 (1993)
  • Hongqi Xu. J. Appl. Phys., 68, 4077 (1990)
  • K. Laasonen, R.M. Nieminen, M.J. Puska. Phys. Rev. B, 45, 4122 (1992)
  • O. Sugino, A. Oshiyama. Phys. Rev. Lett., 68, 1858 (1992)
  • R. Virkkunen, M. Alatalo, M.J. Puska, R.M. Nieminen. Comp. Mater. Sci., 1, 151 (1993)
  • F.G. Anderson, F.S. Ham, G. Grossmann. In: \it Defects in Semiconductors 16. Proc. of the 16th Int. Conf. on Defects in Semiconductors, 1991, ed. by G. Davies, G.G. De Leo, M. Stavola [Mater. Sci. Forum, 83--87 (1992)]; Trans. Techn. Publications, pt 1, p. 475
  • M. Lannoo, G.A. Baraff, M. Schluter, D. Tomanek. Phys. Rev. B, 44, 12106 (1991)
  • В.С. Вихнин. ФТТ, 23, 2442 (1981)
  • И.Б. Берсукер. \it Электронное строение и свойства координационных соединений: \it Введение в теорию (Л., Химия, 1986)
  • U. Opik, M.H.L. Pryce. Proc. Roy. Soc. Ser. A., 238, 425 (1957)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.