"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC p- n-структурах
Стрельчук А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

В работе систематизируются результаты исследования времен жизни и диффузионных длин неравновесных носителей заряда в p-n-структурах на SiC, изготовленных методами сублимационной эпитаксии, ионного легирования, бесконтейнерной жидкостной эпитаксии, низкотемпературной жидкостной эпитаксии. Данные о временах жизни и диффузионных длинах получены на основе исследования вольт-амперных, релаксационных, фотоэлектрических характеристик. Установлена связь между величинами времени жизни, диффузионной длины и характером их температурных зависимостей --- с одной стороны, и методом изготовления p-n-структур --- с другой.
  • В.С. Балландович, Г.Н. Виолина. ФТП, 15, 1650 (1981)
  • В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1982)
  • А.В. Наумов, В.И. Санкин. ФТП, 23, 1009 (1989)
  • М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. метер., 10, 1768 (1984)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.Е. Севостьянов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков, Г.П. Шпынев. Письма ЖТФ, 10, 1053 (1984)
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 238 (1985)
  • V.A. Dmitriev, L.B. Elfimov, N.D. Il'inskaya, S.V. Rendakova. Springer Proc. in Phys., 56, 307 (1992)
  • В.И. Левин, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 14, 1062 (1978)
  • В. Шокли. \it Теория электронных полупроводников. Приложение к теории транзисторов (М., Мир, 1953)
  • S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  • В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984)
  • М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 647 (1989)
  • М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
  • А.М. Стрельчук. Автореф. дисс. (С.-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 1992)
  • М.М. Аникин, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 28, 284 (1994)
  • V.V. Evstropov, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 589 (1993)
  • М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Phys., 56, 269 (1992)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
  • L. Patrick. J. Appl. Phys., 28, 765 (1957)
  • C.A.A.J. Greebe. Phil. Res. Rep. Suppl., 1, 1, (1963)
  • В.И. Павличенко, И.В. Рыжиков. В сб.: \it Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов (Л., 1969) с. 326
  • Э.Е. Виолин, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 6, 593 (1964)
  • J.A. Edmond, H.-S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 453 (1993)
  • R.N. Hall. Proc. IRE, 40, 1512 (1952)
  • Г.Н. Виолина. Автореф. дисс. (Л., ЛЭТИ, 1966)
  • Г.Ф. Лымарь, Ю.В. Поликанов. В сб.: \it Карбид кремния (Киев, 1966) с. 232
  • L. Patrick, W.J. Choyke. J. Appl. Phys., 30, 236 (1959)
  • W.T. Eriksen. In: \it Proc. of the Conf. on Silicon Carbide (Pergamon Press, 1960) p. 376
  • И.В. Рыжиков, В.И. Павличенко, Т.Г. Кмита. В сб.: \it Карбид кремния (Киев, 1966) с. 308
  • G.G. Harman, R.L. Raybold. J. Appl. Phys., 32, 1168 (1961)
  • Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 4, 3170 (1962)
  • К.Д. Демаков, В.С. Иванов, В.Г. Столярова, В.М. Тарасов. ФТП, 12, 1085 (1978)
  • В.Г. Воронин, А.А. Глухарев, В.И. Павличенко, Б.В. Пронин, И.В. Рыжиков, Ю.М. Сулейманов. Электрон. техн., сер. 2, 3, 24 (1970)
  • M. Ikeda, T. Haykawa, S. Yamagiwa, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
  • В.С. Балландович, Г.Н. Виолина. В сб.: \it Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 293
  • С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд. физ.-мат. лит., 1963)
  • P.C. Canepa, P. Malinaric, R.B. Campbell, J. Ostroski. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-11, 262 (1964)
  • Р.Б. Кэмпбелл, Х.С. Берман. В сб.: \it Карбид кремния (М., 1972) с. 231
  • R.B. Campbell, H.-C. Chang. Sol. St. Electron., 10, 949 (1967)
  • А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 13, 2366 (1979)
  • Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.