Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ростовых нарушений структуры на дефектообразование в кремнии при внешних воздействиях

Казакевич Л.А.¹, Лугаков П.Ф.¹

¹Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко,, Минск, Беларусь

Поступила в редакцию: 26 сентября 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние ростовых нарушений структуры (микродефектов, дислокаций) на дефектообразование в кремнии n-типа (rho~ 200 Ом·см) при внешних воздействиях. Проанализированы температурные зависимости коэффициента Холла. Установлено, что тепловая обработка и пластическая деформация бездислокационного Si, выращенного зонной плавкой в атмосфере аргона, приводят к накоплению термодоноров типа ТД-I. Облучение гамма-квантами изменяет характер накопления основных радиационных дефектов. Эти результаты могут быть объяснены, если принять во внимание образование включений малых размеров (микродефектов) во время роста кристалла. Такие дефекты не выявляются при селективном травлении, но создают в кристаллической решетке деформационные напряжения.

К. Рейви. \it Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., 1984)
C. Junichi. In: \it Defects and Prop. Semicond.: Def. Eng. Symp. Def. Qual. Semicond. (Tokyo, 1987) p. 143
H. Hoffman. J. Appl. Phys. A, 27, 39 (1982)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a), 127, 103 (1991)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец, Г.А. Оганесян, К. Шмальц. ФТП, 27, 1545 (1983)
Ya.I. Latushko, L.F. Makarenko, V.P. Markevich, L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 93, K181 (1986)
P. Wagner, J. Hage. J. Appl. Phys. A, 49, 123 (1989)
W. Gotz, G. Pensl, W. Zulehner. Phys. Rev. B, 46, 4312 (1992)
В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков, А.В. Цикунов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 26, 901 (1990)
В.В. Аристов, И.И. Снигирева, О.В. Феликсова, И.И. Ходос, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. В сб.: \it Докл. V Межд. конф. "Свойства и структура дислокаций в полупроводниках" (Черноголовка, 1989)
Л.А. Казакевич, П.Ф. Лугаков, В.Д. Ткачев. ФТП, 14, 124 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель