Вышедшие номера
Определение характеристик двумерного электронного газа в структурах InGaAs/InP акустическими методами в режиме квантового эффекта Холла
Дричко И.Л.1, Дьяконов А.М.1, Каган В.Д.1, Крещук А.М.1, Кипшидзе Г.Д.1, Полянская Т.А.1, Савельев И.Г.1, Смирнов И.Ю.1, Суслов А.В.1, Шик А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Приводятся результаты первого исследования акустическими методами свойств двумерного электронного газа в селективно легированных гетероструктурах In0.53Ga0.47As/InP. Измерялся коэффициент поглощения поверхностных акустических волн двумерным электронным газом в зависимости от величины магнитного поля до H~ 6 Тл в условиях квантового эффект Холла при T=(1.4-4.2) K на частотах 30 и 150 МГц. Зависимости от магнитного поля проводимостей: sigmaacxx(H), определенной из коэффициента поглощения поверхностных акустических волн, и sigmaxx(H), рассчитанной из гальваномагнитных измерений на постоянном токе, были близки, за исключением областей магнитного поля вблизи целых значений фактора заполнения. Здесь величина sigmaacxx имела конечное значение, в то время как sigmaxx(H)-> 0. Мы полагаем, что этот результат связан с разным вкладом в статическую и высокочастотную проводимость двумерных электронов, локализованных в случайном потенциале на гетерогранице.