"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние имплантации ионов Ar+ на рассеяние света монокристаллами нелегированного фосфида индия
Юрьев В.А.1, Калинушкин В.П.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона исследовано влияние имплантации ионов Ar+ с энергией 200 и 250 кэВ (доза 1016 см-2) в монокристаллы нелегированного фосфида индия. Установлено, что в результате ионной имплантации происходит увеличение концентрации свободных носителей тока в крупномасштабных скоплениях электрически активных дефектов.
  1. В.П. Калинушкин. Тр. ИОФАН (М.), 4, 3 (1986)
  2. В.П. Калинушкин, В.А. Юрьев, Д.И. Мурин. ФТП, 25, 798 (1990)
  3. V.P. Kalinushkin, V.A. Yuryev, D.I. Murin, M.G. Ploppa. Semicond. Sci. Technol., 7, A255 (1992)
  4. В.П. Калинушкин, А.А. Маненков, Г.Н. Михайлова и др. Микроэлектроника, 15, вып. 6, 528 (1986)
  5. А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, А.В. Беркова, Е.В. Микрюкова, А.Я. Нашельский, С.В. Якобсон, А.Д. Попов. Кристаллография, 28, 776 (1983)
  6. Ф.П. Коршунов, С.И. Радауцан, Н.А. Соболев, И.М. Тигиняну, В.В. Урсаки, Е.А. Кудрявцева. ФТП, 23, 1581 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.