Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Захват носителей в квантовые ямы и их термический выброс в полупроводниках A^IIIB^V

Соловьев С.А.¹, Яссиевич И.Н.¹, Чистяков В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучаются процессы захвата и выброса неравновесных носителей заряда в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами, релаксация по энергии в которых определяется испусканием продольных оптических фононов. Численный расчет скоростей захвата электронов и дырок квантовыми ямами и анализ эффективного времени жизни носителей в барьерном слое проведены для гетероструктур в системе Al_0.3Ga_0.7As/GaAs.

J.Y. Tang, K. Hess, N.Jr. Holonyak, J.J. Coleman, P.D. Dapkus. J. Appl. Phys., 53, 6043 (1982)
С.В. Козырев, А.Я. Шик. ФТП, 19, 1667 (1985)
J.A. Brum, G. Bastard. Phys. Rev. B, 33, 1420 (1986)
M. Babiker, B.K. Ridley. Superlatt. Microstruct., 2, 287 (1986)
A. Fujiwara, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ho. Surf. Sci., 263, 642 (1992)
P.W.M. Blow, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
I.N. Yassievich, K. Schmalz, M. Beer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1763 (1994)
V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. \it Nonradiative Recombination in Semiconductor (Amsterdam, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель