Вышедшие номера
Захват носителей в квантовые ямы и их термический выброс в полупроводниках A IIIB V
Соловьев С.А.1, Яссиевич И.Н.1, Чистяков В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Изучаются процессы захвата и выброса неравновесных носителей заряда в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами, релаксация по энергии в которых определяется испусканием продольных оптических фононов. Численный расчет скоростей захвата электронов и дырок квантовыми ямами и анализ эффективного времени жизни носителей в барьерном слое проведены для гетероструктур в системе Al0.3Ga0.7As/GaAs.