"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Интерфейсные электронные состояния вблизи плавного гетероперехода HgTe--CdTe
Германенко А.В.1, Миньков Г.М.1, Ларионова В.А.1, Рут О.Э.1
1Институт физики и прикладной математики при Уральском государственном университете,, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Анализируется влияние ширины гетероперехода в структурах HgTe--CdTe на спектр двумерных интерфейсных состояний. Показано, что уширение гетероперехода улучшает условия локализации таких состояний, понижая их энергию.
  1. D.L. Smith, C. Maihiot. Rev. Mod. Phys., 62, 173 (1990)
  2. Y.R. Lin-Liu, L.J. Sham. Phys. Rev. B, 32, 5561 (1985)
  3. Р.А. Сурис. ФТП, 20, 2008 (1986)
  4. L.G. Gerdhikov, A.V. Subashiev. Phys. Sol. (b), 160, 443 (1990)
  5. Б.А. Волков, О.А. Панкратов. Письма ЖЭТФ, 42, 145 (1985)
  6. М.И. Демьянов, А.В. Хаецкий. Письма ЖЭТФ, 33, 115 (1981)
  7. А.В. Сокольский, Р.А. Сурис. ФТП, 21, 866 (1987)
  8. М.В. Кисин. ФТП, 23, 292 (1989)
  9. N.F. Johnson, P.M. Hui, H. Ehrenreich. Phys. Rev. Lett., 61, 1993 (1988)
  10. Г.М. Миньков, О.Э. Рут, В.А. Ларионова, А.В. Германенко. ЖЭТФ, 105, 719 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.