Функция пространственного распределения неравновесных электронно-дырочных пар при однофотонном возбуждении прямозонных полупроводников
Лукашевич П.Г.1
1Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 2 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
Для случая однофотонного возбуждения прямозонных полупроводников, когда одновременно реализуются линейный, квадратичный и кубический механизм рекомбинации выполнены расчеты функции пространственного распределения неравновесных электронно-дырочных пар по глубине кристалла. Проведен анализ полученных результатов. Предложен простой способ аппроксимации функции пространственного распределения неравновесных носителей заряда вблизи границы кристалла.
- В.Г. Лысенко, В.И. Ревенко. ФТТ, 20, 2144 (1978)
- В.А. Батырев, П.Г. Лукашевич. ФТП, 23, 550 (1989)
- С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
- В.А. Зуев, В.Г. Попов. \it Фотоэлектрические МДП приборы (М., 1983)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., 1975)
- П.Г. Лукашевич, В.Н. Павловский, В.А. Самойлюкович. ФТП, 23, 578 (1989)
- В.П. Грибковский, Г.П. Яблонский, П.Г. Лукашевич. ФТП, 8, 2210 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
