"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Функция пространственного распределения неравновесных электронно-дырочных пар при однофотонном возбуждении прямозонных полупроводников
Лукашевич П.Г.1
1Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 2 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Для случая однофотонного возбуждения прямозонных полупроводников, когда одновременно реализуются линейный, квадратичный и кубический механизм рекомбинации выполнены расчеты функции пространственного распределения неравновесных электронно-дырочных пар по глубине кристалла. Проведен анализ полученных результатов. Предложен простой способ аппроксимации функции пространственного распределения неравновесных носителей заряда вблизи границы кристалла.
  1. В.Г. Лысенко, В.И. Ревенко. ФТТ, 20, 2144 (1978)
  2. В.А. Батырев, П.Г. Лукашевич. ФТП, 23, 550 (1989)
  3. С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
  4. В.А. Зуев, В.Г. Попов. \it Фотоэлектрические МДП приборы (М., 1983)
  5. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., 1975)
  6. П.Г. Лукашевич, В.Н. Павловский, В.А. Самойлюкович. ФТП, 23, 578 (1989)
  7. В.П. Грибковский, Г.П. Яблонский, П.Г. Лукашевич. ФТП, 8, 2210 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.