"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Светоизлучающие структуры Si : Er. Технология и физические свойства О б з о р
Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Дается обзор результатов по получению и исследованию светоизлучающего Si : Er. Обсуждаются особенности легирования кремния эрбием. Основное внимание уделено методам ионной имплантации, твердофазной эпитаксии, молекулярно-лучевой имплантации и диффузии, которые позволяют создавать высококачественные сильно легированные эрбием слои кремния. Приводятся и обсуждаются результаты исследования электрических, структурных и оптических свойств. Анализируется влияние примесных атомов и собственных точечных решеточных дефектов на процессы дефектообразования. Предложены пути развития дальнейших исследований Si : Er и структур на его основе.
  1. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  2. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haudl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
  3. F.Y. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc., 301, 87 (1993)
  4. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  5. Y.H. Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys., 70, 3223 (1991)
  6. Y.S. Tang, K.C. Heasman, W.P. Gillin, B.J. Sealy. Appl. Phys. Lett., 55, 432 (1989)
  7. Y.S. Tang, Zhang Jingping, K.C. Heasman, B.J. Sealy. Sol. St. Commun., 72, 991 (1989)
  8. E.P. Widdershoven, J.P.M. Naus. Mater. Sci. Eng. B, 4, 71 (1989)
  9. D. Moutonnet, H.L. 'Haridon, P.N. Favennec, M. Salvi, M. Gauneau, F. Arnaud d'Avitaya, J. Chroboczek. Mater. Sci. Eng. B, 4, 75 (1989)
  10. P.N. Favennec, H.L. 'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Japan. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
  11. J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, Y.-H. Xie, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991)
  12. J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
  13. D.J. Eaglesham, J. Michel, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poate, J.L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 58, 2797 (1991)
  14. D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
  15. J.L. Benton, D.J. Eaglesham, M. Almonte, P.H. Citrin, M.A. Marcus, D.L. Adler, D.C. Jacobson, J.M. Poate. MRS Symp. Proc., 301, 119 (1993)
  16. F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, B. Bellany. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
  17. H. Przybylinska, J. Enzenhofer, G. Hendorfer, M. Schoisswohl, L. Palmetshofer, W. Jantsch. Mater. Sci. Forum, 143--147, 715 (1994)
  18. J. Michel, F.Y.G. Ren, B. Zheng, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. Mater. Sci. Forum, 143--147, 707 (1994)
  19. B. Zheng, J. Michel, F.Y.G. Ren, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)
  20. Н.А. Соболев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин, Е.И. Шек. ФТП, 28, 1995 (1994)
  21. A. Polman, J.S. Custer, E. Snoeks, G.N. van den Hoven. Appl. Phys. Lett., 62, 507 (1993)
  22. S. Coffa, F. Priolo, G. Franzo, V. Bellany, A. Carnera, C. Spinella. MRS Symp. Proc., 301, 125 (1993)
  23. S. Coffa, F. Priolo, G. Franzo, V. Bellany, A. Carnera, C. Spinella. Phys. Rev. B, 48, 11782 (1993)
  24. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16313 (1994)
  25. J.S. Custer, A. Polman, H.M. van Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
  26. H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Houghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 236 (1993)
  27. F. Arnaud d'Avitaya, Y. Campidelli, J.A. Chroboczek, P.N. Favennec, H.L. 'Haridon, D. Moutonnet, A. Wasiela. MRS Symp. Proc., 301, 97 (1993)
  28. N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, B.N. Gresserov, G.M. Gusinskii, V.O. Naidenov, E.I. Shick, V.I. Stepanov, Yu.V. Vyzhigin, L.F. Chepik, E.P. Troshina. Sol. St. Phenomena, 32--33, 83 (1993)
  29. J.L. Rogers, W.J. Varhue, E. Adams. MRS Symp. Proc., 301, 49 (1993)
  30. H.K. Kim, C.C. Li, X.M. Fang, J. Solomon, G. Nykolak, P.C. Becker. MRS Symp. Proc., 301, 55 (1993)
  31. K. Nakashima. MRS Symp. Proc., 301, 61 (1993)
  32. T. Asatsuma, P. Dodd, J.F. Donegan, J.G. Lunney, J. Hegarty. MRS Symp. Proc., 301, 67 (1993)
  33. R. Serna, E. Snoeks, G.N. van den Hoven, A. Polman. J. Appl. Phys., 75, 2644 (1994)
  34. I.N. Vassievich, L.C. Kimerling. Semicond. Sci. Technol., 8, 718 (1993)
  35. В.В. Агеев, Н.С. Аксенова, В.Н. Коковина, Е.П. Трошина. Изв. ЛЭТИ, вып. 211, 80 (1977)
  36. Д.З. Назыров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТП, 25, 1653 (1991)
  37. О.В. Александров, В.В. Емцев, Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТП, 28, 2045 (1994)
  38. O.V. Alexandrov, N.A. Sobolev, E.I. Shek. Semicond. Sci. Technol. (принято к печати)
  39. P.E. Freeland, K.A. Jackson, C.W. Lowe, J.R. Patel. Appl. Phys. Lett., 30, 31 (1977)
  40. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  41. K.R. Lea, M.J.M. Leask, W.P. Wolf. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1381 (1962)
  42. E. Segal, W.E. Wallace. J. Sol. St. Chem., 2, 347 (1970)
  43. M. Lannoo, C. Delerue. MRS Symp. Proc., 301, 385 (1993)
  44. J. Michel, L.C. Kimerling, J.L. Benton, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poate, Y.H. Hie, R.E. Ferrante. Mater. Sci. Forum, 83--87, 653 (1992)
  45. P.B. Klein, G.S. Pomrenke. Electron. Lett., 24, 1503 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.