Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Светоизлучающие структуры Si : Er. Технология и физические свойства О б з о р
Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
Дается обзор результатов по получению и исследованию светоизлучающего Si : Er. Обсуждаются особенности легирования кремния эрбием. Основное внимание уделено методам ионной имплантации, твердофазной эпитаксии, молекулярно-лучевой имплантации и диффузии, которые позволяют создавать высококачественные сильно легированные эрбием слои кремния. Приводятся и обсуждаются результаты исследования электрических, структурных и оптических свойств. Анализируется влияние примесных атомов и собственных точечных решеточных дефектов на процессы дефектообразования. Предложены пути развития дальнейших исследований Si : Er и структур на его основе.
- H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
- H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haudl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
- F.Y. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc., 301, 87 (1993)
- G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- Y.H. Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys., 70, 3223 (1991)
- Y.S. Tang, K.C. Heasman, W.P. Gillin, B.J. Sealy. Appl. Phys. Lett., 55, 432 (1989)
- Y.S. Tang, Zhang Jingping, K.C. Heasman, B.J. Sealy. Sol. St. Commun., 72, 991 (1989)
- E.P. Widdershoven, J.P.M. Naus. Mater. Sci. Eng. B, 4, 71 (1989)
- D. Moutonnet, H.L. 'Haridon, P.N. Favennec, M. Salvi, M. Gauneau, F. Arnaud d'Avitaya, J. Chroboczek. Mater. Sci. Eng. B, 4, 75 (1989)
- P.N. Favennec, H.L. 'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Japan. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
- J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, Y.-H. Xie, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991)
- J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
- D.J. Eaglesham, J. Michel, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poate, J.L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 58, 2797 (1991)
- D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
- J.L. Benton, D.J. Eaglesham, M. Almonte, P.H. Citrin, M.A. Marcus, D.L. Adler, D.C. Jacobson, J.M. Poate. MRS Symp. Proc., 301, 119 (1993)
- F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, B. Bellany. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
- H. Przybylinska, J. Enzenhofer, G. Hendorfer, M. Schoisswohl, L. Palmetshofer, W. Jantsch. Mater. Sci. Forum, 143--147, 715 (1994)
- J. Michel, F.Y.G. Ren, B. Zheng, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. Mater. Sci. Forum, 143--147, 707 (1994)
- B. Zheng, J. Michel, F.Y.G. Ren, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)
- Н.А. Соболев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин, Е.И. Шек. ФТП, 28, 1995 (1994)
- A. Polman, J.S. Custer, E. Snoeks, G.N. van den Hoven. Appl. Phys. Lett., 62, 507 (1993)
- S. Coffa, F. Priolo, G. Franzo, V. Bellany, A. Carnera, C. Spinella. MRS Symp. Proc., 301, 125 (1993)
- S. Coffa, F. Priolo, G. Franzo, V. Bellany, A. Carnera, C. Spinella. Phys. Rev. B, 48, 11782 (1993)
- S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16313 (1994)
- J.S. Custer, A. Polman, H.M. van Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
- H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Houghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 236 (1993)
- F. Arnaud d'Avitaya, Y. Campidelli, J.A. Chroboczek, P.N. Favennec, H.L. 'Haridon, D. Moutonnet, A. Wasiela. MRS Symp. Proc., 301, 97 (1993)
- N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, B.N. Gresserov, G.M. Gusinskii, V.O. Naidenov, E.I. Shick, V.I. Stepanov, Yu.V. Vyzhigin, L.F. Chepik, E.P. Troshina. Sol. St. Phenomena, 32--33, 83 (1993)
- J.L. Rogers, W.J. Varhue, E. Adams. MRS Symp. Proc., 301, 49 (1993)
- H.K. Kim, C.C. Li, X.M. Fang, J. Solomon, G. Nykolak, P.C. Becker. MRS Symp. Proc., 301, 55 (1993)
- K. Nakashima. MRS Symp. Proc., 301, 61 (1993)
- T. Asatsuma, P. Dodd, J.F. Donegan, J.G. Lunney, J. Hegarty. MRS Symp. Proc., 301, 67 (1993)
- R. Serna, E. Snoeks, G.N. van den Hoven, A. Polman. J. Appl. Phys., 75, 2644 (1994)
- I.N. Vassievich, L.C. Kimerling. Semicond. Sci. Technol., 8, 718 (1993)
- В.В. Агеев, Н.С. Аксенова, В.Н. Коковина, Е.П. Трошина. Изв. ЛЭТИ, вып. 211, 80 (1977)
- Д.З. Назыров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТП, 25, 1653 (1991)
- О.В. Александров, В.В. Емцев, Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТП, 28, 2045 (1994)
- O.V. Alexandrov, N.A. Sobolev, E.I. Shek. Semicond. Sci. Technol. (принято к печати)
- P.E. Freeland, K.A. Jackson, C.W. Lowe, J.R. Patel. Appl. Phys. Lett., 30, 31 (1977)
- P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
- K.R. Lea, M.J.M. Leask, W.P. Wolf. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1381 (1962)
- E. Segal, W.E. Wallace. J. Sol. St. Chem., 2, 347 (1970)
- M. Lannoo, C. Delerue. MRS Symp. Proc., 301, 385 (1993)
- J. Michel, L.C. Kimerling, J.L. Benton, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poate, Y.H. Hie, R.E. Ferrante. Mater. Sci. Forum, 83--87, 653 (1992)
- P.B. Klein, G.S. Pomrenke. Electron. Lett., 24, 1503 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
