"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs1-x-ySbxPy/InAs
Баранов А.Н.1, Васильев В.А.1, Копылов А.А.1, Шерстнев В.В,1
1Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина)
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Исследовано оптическое отражение эпитаксиальных слоев твердого раствора InAs1-x-ySbxPy, полученных методом жидкофазной эпитаксии на подложках n-InAs. Исследовались нелегированные слои n-типа проводимости, слои n-типа, легированные Sn, и p-типа, легированные Zn. Состав твердого раствора варьировался в пределах x=0.1-0.12, y=0.2-0.25. Измерения проводились при комнатной температуре в диапазоне 10-650 см-1 с использованием фурье-спектрометра ЛФС-1000. Для расчета спектров отражения использовался матричный формализм. Градиентные слои рассматривались в приближении гиперболического распределения показателя преломления n(z)=n1n2/[n1-(n1-n2)z/h]. Показано, что учет градиентных слоев позволяет улучшить количественное согласие между теорией и экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.