"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов GaAs<Te>
Джумамухамбетов Н.Г.1, Дмитриев А.Г.1
1Ленинградский технический университет
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Изучена температурная зависимость спектров ФЛ, модифицированных лазерным излучением кристаллов GaAs<Te> в интервале температур 77/ 300 K. Проведено сравнение экспериментальных данных с теорией излучательной рекомбинации СЛКП Леванюка-Осипова. Установлено, что D-полоса, возникающая в модифицированных кристаллах, обусловлена излучательной рекомбинацией через хвосты плотности состояний, которые появляются в результате образования вакансий мышьяка после лазерного воздействия. Оценена эффективная глубина хвостов плотности состояний, которая оказалась 86 мэВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.