"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs : Ge
Журавлев К.С.1, Катков А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Изучено влияние изовалентного легирования In и Sb на концентрацию комплексов, ответственных за длинноволновые полосы ФЛ (homegaC~= 1.3, homegaD~= 1.2 эВ), в сильно легированном p-GaAs : Ge. Показано, что концентрация обоих комплексов увеличивается при легировании индием; при легировании сурьмой концентрация комплекса C практически не изменяется, а концентрация комплекса D увеличивается с ростом содержания сурьмы в слоях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.