"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
Винник Е.В.1, Глинчук К.Д.1, Гурошев В.И.1, Прохорович А.В.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Изучено влияние облучения быстрыми нейтронами и последующих изохронных отжигов на фотолюминесценцию легированных атомами Zn, Te кристаллов p-GaAs. Показано, что указанные воздействия приводят (помимо изменения интенсивности краевой полосы излучения) к появлению примесных полос излучения с энергиями максимума hnum (77 K) вблизи 1.26, 1.38, 1.18, 1.30 и 1.25 эВ, обусловленных излучательными переходами электронов в созданных радиационным (радиационно-термическим) воздействием парах AsiZnGa, VAsZnGa, VGaTeAs, SiAsD и SiAs(VGaVAs) соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.