"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ~100 а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств
Баранов И.А.1, Кучинский П.В.1, Ломако В.М.1, Петрунин А.П.1, Целелевич С.О.1, Шахлевич Л.Н.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Сенченко при БГУ им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Изучено влияние дефектов, вводимых облучением осколками деления 252Cf в кремнии с уровнем легирования 1014/1018 см-3, на рекомбинацию неосновных носителей заряда. Показано, что изменение времени жизни носителей при облучении определяется в основном введением областей скоплений дефектов. С использованием параметров для областей скоплений дефектов, полученных из данных емкостной спектроскопии, описана зависимость поведения коэффициента радиационного изменения времени жизни неосновных носителей заряда от уровня легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.