"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
Бланк А.Ю.1, Зиновьев Е.Н.1, Иванов Л.П.1, Ковалев Д.И.1, Ярошецкий И.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Исследован новый механизм оже-процесса для экситонно-примесных комплексов (ЭПК) на нейтральных донорах в GaAs, индуцируемый акустическими фононами. Выполненные эксперименты и анализ симметрии основного и возбужденного состояний ЭПК на нейтральном доноре показывают, что вероятность оже-рекомбинации для возбужденного состояния ЭПК превосходит вероятность излучательной рекомбинации из основного состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.