"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. II. Влияние одноосного давления на фотолюминесценцию центра
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Осипов Е.Б.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1, Сосновский В.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

При температуре 2 K и одноосных давлениях (P) до 10 кбар в образцах n-GaAs : Te измерена индуцируемая этим давлением поляризация примесной фотолюминесценции (ФЛ) в широкой полосе с максимумом при энергии фотонов 1.18 эВ. Обнаружено, что при давлении вдоль различных осей кристалла ([001], [111], [110]) интегральное поляризационное отношение излучения всегда возрастает, однако с увеличением энергии фотонов в полосе излучения поляризационное отношение растет при P|| [001], а при P|| [111] падает. Поведение поляризации ФЛ объясняется в модели примесного центра моноклинной симметрии, для которого расщепления возбужденного состояния, вводимые внутренним понижением симметрии, сравнимы с расщеплениями из-за внешнего давления и существенную роль играют вибронные эффекты. Аппроксимацией экспериментальных зависимостей оценены величины параметров излучающего состояния центра (расщепление подуровней возбужденного состояния и его изменение при нулевых колебаниях комплекса, константы деформационного потенциала). Сопоставление этих величин с результатами анализа данных поляризационной спектроскопии [1] позволяет сузить диапазон возможных значений параметров электронного строения примесного центра, вызывающего исследованную ФЛ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.