"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов при облучении бездислокационного n-кремния
Казакевич Л.А.1, Лугаков П.Ф.1
1Научно-исследовательский институт им. А.Н. Севченко при БГУ им. В.И. Ленина, Минск
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Изучены процессы накопления радиационных дефектов (РД) вакансионного и междоузельного типов в бездислокационных монокристаллах n-кремния (rho~ 100 Ом · см), выращенных бестигельной зонной плавкой в атмосфере аргона. На различных этапах облучения gamma-квантами 60Co (Tобл=< 50oC) измерялись температурные (80/ 400 К) зависимости коэффициента Холла и электропроводности. Установлено, что в исследуемых кристаллах (по сравнению с контрольным кремнием, полученным в вакууме и имеющим плотность дислокаций NД~ 2· 104 см-2 скорость введения E-центров ниже, A-центров выше, но суммарная скорость введения РД вакансионного типа меньше. При увеличении интегрального потока gamma-квантов эффективность образования A-центров уменьшается, комплексов междоузельный углерод-узловой углерод возрастает, а E-центров изменяется немонотонно. Объяснение полученных результатов дано с учетом того, что при выращивании бездислокационных кристаллов в их объеме формируются мелкие включения, создающие анизотропные деформационные напряжения и окруженные атмосферой фоновых примесей (кислород, углерод). Под воздействием создаваемых включениями полей к ним направленно мигрируют первичные РД, где участвуют в комплексообразовании с примесями или исчезают в результате непрямой аннигиляции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.