"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
Аверкиев Н.С.1, Кютт Р.Н.1, Матвеев Б.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1, Чайкина Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

На основе представлений о квазиодноосном характере деформации в гетероструктуре с подложкой, профилированной в виде швеллера, экспериментально и теоретически изучено распределение деформации в неизопериодных гетероструктурах InGaSbAs/GaSb и InGaSbP/InAs. Получено соответствие величин остаточных деформаций, определенных из измерений поляризации фотолюминесценции и брэгговского асимметричного отражения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.